原標題：中國科學家發(fā)現(xiàn)單分子晶體管中電子的量子干涉效應(yīng)

（觀察者網(wǎng)訊）觀察者網(wǎng)2月21日從廈門大學獲悉，廈門大學化學化工學院洪文晶教授課題組在單分子電子器件電輸運的相消量子干涉效應(yīng)調(diào)控方向取得重要進展，相關(guān)研究成果“Anti-resonance features of destructive quantum interference in single-molecule thiophene junctions achieved by electrochemical gating” 于2019年02月11日在線發(fā)表于《自然-材料》。

基于單個有機分子來構(gòu)筑電子器件為電子器件微型化提供潛在技術(shù)方案。在單分子器件中，電子在通過單分子器件中不同電輸運通路時由于存在相位差而將出現(xiàn)增強或相消量子干涉效應(yīng)，是在納米-亞納米尺度電子輸運的獨特效應(yīng)，為制備基于單分子尺度新奇量子效應(yīng)的新型高性能電子器件提供了重要機遇。理性調(diào)控單分子電子器件的量子干涉效應(yīng)為該領(lǐng)域未來發(fā)展的關(guān)鍵挑戰(zhàn)之一。

本研究發(fā)展了可集成電化學門控的單分子電子器件測試芯片技術(shù)和科學儀器方法，在實驗和理論兩個層面對具有相消量子干涉效應(yīng)的噻吩衍生物分子器件的電輸運過程進行了電化學調(diào)控研究，從而首次在室溫下實現(xiàn)了對單分子電子器件中量子干涉效應(yīng)的反共振現(xiàn)象的直接觀測和調(diào)控，為制備基于量子干涉效應(yīng)的新型分子材料和器件提供了全新的設(shè)計思路和策略。該研究充分展示了電化學調(diào)控技術(shù)在信息材料和器件領(lǐng)域的重要應(yīng)用潛力，也體現(xiàn)了我校固體表面物理化學國家重點實驗室在電化學研究和科學儀器研發(fā)領(lǐng)域的技術(shù)積累，以及面向科學前沿開展交叉學科探索的研究特色。